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更简单的电池自动关断电路

发布时间:2020-07-01 01:41:38 阅读: 来源:电缆防火涂料厂家

更简单的电池自动关断电路我们曾在《设计实例》中阐述的一种简单方法,可以在一个预定的时间后自动关断电池,以延长电池寿命(参考文献1)。本《设计实例》介绍一种更简单的能完成相同功能的方法(图 1)。四重双输入NAND施密特触发器IC1的两个门组成一个改进的触发器。当电路加上9V电池电压时,IC1A的输出变为高电平,因为C1上的初始电压为零。IC1B的输出变为低电平,并通过R2反馈到IC1A。C3通过R3充电。IC1C的输出变为高电平,因为R6接地。P沟道MOSFET开关Q1关断,IC1D输出变为高电平,并通过R2给C4充电。当按下瞬动开关S1时,由于IC1A的两个输入端均为高电平,其输出就变为低电平,从而迫使IC1B的输出变为高电平。R2的阻值比R3小得多,因此当S1维持导通状态时,C3保持高逻辑电平。当S1关断时,C3通过R3放电。MOSFET 开关可以用两种方法来关断。当钽电容C2充电充到 IC1C的输入端电压低于其阈值 V- 时,IC1C的输出从低电平变为高电平;这一电平变化使 MOSFET 开关关断。C2 和R6决定这种自动关断的持续时间。如果C2 的电容值和R6的阻值如图所示,则关断大约需要6分钟。同时,IC1D输出从高至低的变化可通过C4迫使IC1A和IC1B回到待机状态。

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另一种方法是,按下S1,关断MOSFET开关。因为C3上的电压很低,所以S1的闭合使IC1A的输出变为高电平,而IC1B的输出变为低电平。IC1B输出由高至低的变化迫使IC1C的输出变为高电平,从而使 MOSFET 关断。由于C2的电容值相当大,所以用D1来提供一条快速放电通路,并用R4限制放电电流。这个电路在待机状态下消耗不到0.2mA 的电流。 MOSFET 开关的导通电阻很小,所以在负载电流为100 mA 时,该开关只降低2 mV 电压。如果需要一个通电指示灯,可以在负载一侧串接一个限流电阻的情况下增加一只 LED。

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